不揮発性メモリH-RAMの検討(集積エレクトロニクス)
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概要
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ホール効果を用いた半導体不揮発性メモリH-RAMを提案する.本論文ではその動作原理を述べH-RAM固有の問題であるオフセット電圧問題解決のため,いくつかの相補型メモリ構造を提案する.また,各種構造においてセルアレー構造に特有の他セルへの書込みに伴う磁場,周辺セルから発生する磁場,更には磁性体自身の反磁場等の影響を検討し,正常動作のための磁性材料への要求を求め,書込み電流等を概算した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-01
著者
-
川野 誠
名古屋市立大学病院中央放射線部
-
川野 誠
金沢大学 大学院医学系研究科保健学専攻
-
川野 誠
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
奥戸 雄二
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
鈴木 淳
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
高橋 大悟
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
片山 藍
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科;(現)NECマシナリー株式会社
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