ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD-2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
不揮発性メモリーとして、ホール効果を用いたホールメモリーを提案する。この構造は垂直磁性体と、高移動度半導体、更には従来のAlよりも大きな電流を高信頼性で扱えるCu配線技術を採用する事によって初めて可能に成った。本素子では、情報の書き込みは、高移動度半導体片上に設けた磁性体の周辺に設置したCu配線に電流を流す事によって行い、読み出しは半導体片上からのホール電圧である。ホール効果ではホール端子の非対称性による誤差が発生し、加工精度の制御が必要である。但し隣接の2つの素子を組み合わせる等の回路的工夫で解決される可能性が有る事などを提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
関連論文
- C-11-6 不揮発性メモリ H-RAM の検討 : 書込み電流・電力
- 不揮発性メモリH-RAMの検討(集積エレクトロニクス)
- C-11-8 不揮発性メモリH-RAM : U字型磁性体の導入
- C-11-7 不揮発性メモリH-RAMの不要磁場
- 院内学級児童のための学習環境改善に向けた情報技術の活用 (教育における認知的アプローチ/一般)
- C-11-8 不揮発性メモリHRAMの検討 : 半導体スラブ内電界分布の2次元解析
- C-11-7 不揮発性メモリHRAMの製作工程の検討
- インターネットによる院内学級における学習環境の改善
- C-11-3 HRAMにおける書き込みと読み出し
- C-11-2 HRAMの各種構成の検討
- C-11-5 ホールメモリー:その特性予測
- C-11-4 ホールメモリー:その構造と磁場発生
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD-2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- 集積回路の現状と将来