ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討

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概要

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不揮発性メモリーとして、ホール効果を用いたホールメモリーを提案する。この構造は垂直磁性体と、高移動度半導体、更には従来のAlよりも大きな電流を高信頼性で扱えるCu配線技術を採用する事によって初めて可能に成った。本素子では、情報の書き込みは、高移動度半導体片上に設けた磁性体の周辺に設置したCu配線に電流を流す事によって行い、読み出しは半導体片からのホール電圧である。ホール効果ではホール端子の非対称性による誤差が発生し、加工精度の制御が必要である。但し隣接の2つの素子を組み合せる等の回路的工夫で解決される可能性が有る事などを提案する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-08-18

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