C-11-8 不揮発性メモリHRAMの検討 : 半導体スラブ内電界分布の2次元解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
奥戸 雄二
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
鈴木 淳
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
高橋 大悟
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
-
片山 藍
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科;(現)NECマシナリー株式会社
-
西上 英吾
名古屋市立大学大学院システム自然科学研究科
関連論文
- C-11-6 不揮発性メモリ H-RAM の検討 : 書込み電流・電力
- 不揮発性メモリH-RAMの検討(集積エレクトロニクス)
- C-11-8 不揮発性メモリH-RAM : U字型磁性体の導入
- C-11-7 不揮発性メモリH-RAMの不要磁場
- 院内学級児童のための学習環境改善に向けた情報技術の活用 (教育における認知的アプローチ/一般)
- B-3-20 科学衛星搭載用 X バンドトランスポンダの開発
- 科学衛星搭載用高感度Sバンド受信機の開発
- C-11-8 不揮発性メモリHRAMの検討 : 半導体スラブ内電界分布の2次元解析
- C-11-7 不揮発性メモリHRAMの製作工程の検討
- インターネットによる院内学級における学習環境の改善
- C-11-3 HRAMにおける書き込みと読み出し
- C-11-2 HRAMの各種構成の検討
- C-11-5 ホールメモリー:その特性予測
- C-11-4 ホールメモリー:その構造と磁場発生
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD-2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- ED2000-125 / SDM2000-107 / ICD2000-61 不揮発性メモリーとしてのホールメモリーの検討
- 集積回路の現状と将来