自己バイアス電流導入型高周波ヘリウムグロープラズマ励起源の分光特性
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概要
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高周波ヘリウムグロープラズマ励起源では,自己バイアス電流を流さないと試料のスパッタリングはほとんど起こらず,自己バイアス電流を流すとスパッタリング速度は急激に大きくなり,その最大値は通常の13.56 MHzの高周波アルゴングロープラズマの場合の約1/10であった.単位スパッタリング速度当たりの発光強度(発光効率)は,通常の13.56 MHzの高周波アルゴングロープラズマの場合に比べて,100 mAの自己バイアス電流を流した高周波ヘリウムグロープラズマのほうが1けた程度大きかった.分析線の励起エネルギーが6.2 eVを超えると,高周波アルゴングロープラズマ励起源では自己バイアス電流導入法は効果がなくなるが,高周波ヘリウムグロープラズマ励起源では励起エネルギーが6.2 eV以上の発光線に対しても自己バイアス電流導入法は有効であり,この励起源により励起エネルギーが14 eV以上のフッ素の原子発光スペクトルも観測することができた.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2003-06-05
著者
-
我妻 和明
東北大学金属材料研究所
-
松田 秀幸
東北大学金属材料研究所
-
我妻 和明
東北大金研
-
Naeem T
Institute For Materials Research Tohoku University
-
NAEEM Tariq
東北大学金属材料研究所
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