MnAs薄膜のGaAs基板へのホットウォールエピタキシー(HWE)成長と磁気光学スペクトル (<特集>磁気光学・光磁気記録)
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概要
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Ferromagnetic MnAs thin films were grown on GaAs (100) and (111)B substrates by the atomic-hydrogen-assisted hot-wall epitaxy technique, using polycrystalline powder of MnAs as evaporation source. The source and substrate temperatures were 700℃ and 400℃, respectively. The surface orientations of the MnAs films grown on (100) GaAs substrates were (101^^-1) and (101^^-2), (111)B GaAs was (0001). The polar magneto-optical Kerr rotation and ellipticity spectra and reffectivity spectrum were measured in the films. The dielectric permeability spectra were calculated from experimental data, from which the magneto-optical spectra were analyzed.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
著者
-
池亀 弘
東京農工大学, 日本学術振興会
-
池亀 弘
東京農工大学工学部:日本学術振興会
-
佐藤 勝昭
東京農工大
-
中村 知博
東京農工大学工学部
-
秋田 正憲
東京農工大学工学部
-
板橋 淳一
東京農工大学工学部
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