原子状水素援用HWEによるMnSbの磁気光学特性 (<特集>磁気光学・光磁気記録)

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概要

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• MnSb films were prepared on GaAs(100) and (111)B substrates by atomic-hydrogen-assisted hot-wall epitaxy technique. Atomic-force microscopy observation revealed a drastic improvement in the surface flatness of MnSb films grown with irradiation of atomic hydrogen. X-ray diffraction showed that the growth surface of MnSb films was (10.1) in those grown on GaAs(100) substrates,and (00.1) in those grown on GaAs(111)B substrates. The spectra of the optical reflectivity and the polar magneto-optical Kerr effect were measured in the films obtained and analyzed in terms of the electric conductivity tensor.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 1997-04-15

著者

• 池亀 弘

  東京農工大学, 日本学術振興会

• 池亀 弘

  東京農工大学工学部:日本学術振興会

• 佐藤 勝昭

  東京農工大

• 中村 知博

  東京農工大学工学部

• 秋田 正憲

  東京農工大学工学部

• 板橋 淳一

  東京農工大学工学部

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