F2-2 プラズマエッチング、高精度化へのチャレンジ(F.2 半導体製造工程は,今何が問題なのか)
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概要
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To breakthrough the problems in ULSI devices, three novel etching techniques, such as (1) pulse-time-modulated plasma, (2) ultra-high frequency plasma source with a spokewise antenna, and (3) a new radical-injection-method with non-perfluorocarbon gas chemistries, have been developed. This paper reviews the role of these techniques.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-09-28
著者
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