パルス時間変調窒素プラズマによるゲート絶縁膜の形成と紫外光照射損傷の抑制(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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我々のグループでは、これまでにパルス時間変調窒素プラズマをシリコン酸化膜に高精度に照射してSiON膜を形成する技術を開発してきた。開発当初は、シリコン酸化膜中の窒素のプロファイル制御が最も重要だと考えていたが、プラズマから発生する真空紫外光の影響も無視できなくなりつつある事が最近の研究で分かってきている。本報告では真空紫外光とプラズマパラメーターとの関連を詳細に論じるとともに、真空紫外光照射損傷の抑制について述べる。
- 2005-06-03
著者
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寒川 誠二
東北大学流体科学研究所
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加藤 裕司
東北大学流体科学研究所
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福田 誠一
ソニー株式会社セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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田口 智啓
東北大学流体科学研究所
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石川 寧
東北大学流体科学研究所
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野田 周一
東北大学流体科学研究所
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福田 誠一
ソニー株式会社 セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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