6.中性粒子ビームによる究極のトップダウン加工(<小特集>ドライエッチングの科学と技術の新局面)
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概要
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プラズマプロセスの進歩が半導体デバイスの微細化・高集積化を促進してきたといっても過言ではない.しかし,ナノ領域に突入した半導体デバイスでは,プラズマから照射される電荷や紫外線などによる欠陥生成や損傷は,表面積の小さいナノデバイスの特性を大きく劣化させるものである.そのため,プラズマプロセスにおいて電荷蓄積や紫外線照射損傷の抑制や制御を実現できる手法の開発は必要不可欠であり,著者らの開発した負イオンを用いた中性粒子ビームはエッチング特性と損傷抑制の両立が実現できる画期的な方法である.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 2009-04-25
著者
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