RF-プラズマ法によるSiO_2粉体からのSiC粉体の合成
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概要
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Preparation of SiC powder from SiO_2-CH_4 mixtures by RF-plasma method was investigated. The reaction product consisted of β-SiC, free carbon, Si and SiO_2. The maximum yield of SiC formation was obtained for the moler ratio [CH_4]/[SiO_2]〜3. Addition of H_2 to the reaction system suppressed the formation of free carbon, but increased the amounts of SiO_2 and Si. The crystallite size of β-SiC was in the range of 10-30 nm irrespective of the reaction conditions.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1988-12-01
著者
-
永島 聡子
九州大学工学部応用物質化学科
-
加藤 昭夫
九州大学工学部応用物質化学科
-
加藤 昭夫
熊本工大 工
-
浅上 修
九州大学工学部応用化学科
-
外薗 聡子
九州大学工学部応用化学科
-
加藤 昭夫
九州大学工学部
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