非晶質窒化ケイ素粉体の結晶化挙動
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概要
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Amorphous silicon nitride powder (particle size : 0.04 μm) obtained by the vapor phase reaction of Si(CH_3)_4-NH_3 system was compacted into pellet and heat, treated in N_2 to investigate the crystallization behavior. The amorphous powder crystallized to 100% α-Si_3N_4 by the heat treatment for 1 h at 1550℃. The equiaxed crystalline particles having the size of 1-2 μm were obtained when powder was compacted, whereas acicular particles were produced when powder was not compacted. When Si_3N_4 powder was used as powder bed which covered pellet, the crystalline particles grew extensively and the crystallinity increased with a decrease in the packing fraction of particles in pellet. The heat- treated powder with a low crystallinity consisted of fine amorphous particles and coarse crystalline particles. The crystallization seemed to proceed by a vapor phase growth mechanism, in which SiO vapor takes part as silicon carrier between amorphous particles and crystalline ones. When BN powder was used as powder bed, the crystallization and grain growth were retarded, and the crystal phase contained a small amount of β-Si_3N_4. Crystallization inhibitor, e. g. boron oxide, may have penetrated into pellet from BN powder.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1988-08-01
著者
-
前田 英明
産業技術総合研究所
-
北條 純一
黒崎播磨株式会社
-
前田 英明
九州大学大学院工学研究科物質創造工学専攻
-
加藤 昭夫
熊本工業大学工学部工業化学科
-
前田 英明
九州大学工学部応用物質化学科
-
加藤 昭夫
九州大学工学部応用物質化学科
-
北條 純一
九州大学工学部応用化学科
-
加藤 昭夫
熊本工大 工
-
前田 英明
九州大学工学部応用化学科
-
加藤 昭夫
九州大学工学部
-
北條 純一
九州大学工学部
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