β-SiCにおける積層欠陥の熱安定性
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概要
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Stacking faults in SiC are one of the important factors in treat SiC, since they affect physical and chemical properties. Ultra-pure β-SiC specimens with stacking faults were annealed at various temperatures for various duration in an Ar atmosphere under a condition without grain growth. Stacking faults decreased in two steps by heat treatment characterized by fast decrease and by slow decrease, respectively. The apparent activation energy for the former was estimated to be 182 kJ/mol and that for the latter was estimated to be 260 kJ/mol. The value of the latter corresponded to the activation energy for migration of carbon atoms in β-SiC. It was also observed that lattice strain decreased with decreasing stacking faults.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1998-05-01
著者
-
中平 敦
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
-
木島 弌倫
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
-
田中 嘉一郎
京都工芸繊維大学工芸学部無機材料工学科
-
木島 弌倫
京都工芸繊維大学
-
白幡 直人
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
-
中平 敦
京都工芸繊維大学
-
田中 嘉一郎
京工繊大工芸
-
田中 嘉一郎
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
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