ArFエキシマレーザアブレーション法によるセラミックス張薄膜の形成
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概要
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The purpose of this study is to form nanometer ceramic films without any defects, such as crack or void etc., at room temperature. By means of ArF excimer laser ablation, we were able to deposit various ceramic films thinner than I nm and of smooth surface in an ultra-high vacuum chamber. It was found that the target ceramics were decomposed atoms or ions by the laser beam irradiaton and that according to the XPS analysis, films consisted of ceramic molecules were same as those of targets. No defects of the film were confirmed by measuring tunnel current of Fe/Al_2O_3/Fe junction at liquid N_2 temperature. The multilayer film of perovskite structure was obtained by stacking PbO and TiO_2 atomic layer alternatively.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1999-11-05
著者
-
池田 正幸
北海道大学工学研究科
-
高橋 義美
北海道大学工学部
-
高橋 義美
北海道大学大学院工学研究科
-
池田 正幸
北大
-
森野 貴
北海道大学大学院工学研究科
-
小野寺 勇人
北海道大学工学部
-
池田 正幸
北海道大学
-
高橋 義実
北海道大学工学研究科
-
森野 貴
北海道大学大学院工学研究科:(現)松下電器産業
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