Si単結晶のメカノケミカルポリシングにおける加工速度促進機構 : メカノケミカルポリシングの研究(第2報)
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概要
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ポリシャ表面温度を変化させSi単結晶のメカノケミカルポリシソグ特性を把握し、加工速度のArrheniusplotから加工面の活性化エネルギを得た。その見かけ上減少した分をもとに定量化した熱エネルギEと加工抵抗から算出した摩擦発熱量Qとの相関を明らかにした。要約すると、(1)加工速度はポリシャ表面温度の上昇とともに指数関数的に増大し、そのArrhenious plotは直線則に一致する。Eは加工圧力または砥粒濃度とともに大きくなる。(2)Q(kcal/h)とE(kcal/h)は近似的に、E=_αQ-β(α、β : 定数、E≧0)の関係にある。メカノケミカルポリシソグでのα(=1/13〜1/21)は砥粒なしのディスク式化学研摩でのα(=1/300)よりも1けた大きい。各加工条件ともQ=750×10^-4以下のときE=0となる。(3)メカノケミカルポリシソグにおける化学的作用を促進する加工面の温度上昇は摩擦熱に原因し、加工速度増大に関して試料と砥粒の間の摩擦効果は試料とポリシャの間のそれよりも大きい。
- 社団法人精密工学会の論文
- 1980-03-05
著者
-
渡辺 純二
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
-
三宅 正二郎
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
-
三宅 正二郎
日本電信電話(株)
-
唐木 俊郎
日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所
-
三宅 正二郎
日本電信電話(株)電気通信研究所
-
唐木 俊郎
日本電信電話(株)武蔵野電気通信研究所
-
渡辺 純二
日本電信電話(株)
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