反応性スパッタエッチングで生じるSi表面の欠陥の研究
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概要
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Siウエハの最終加工工程にCF4,02混合ガス, CF4ガスによる反応性スパッタエッチングを導入することをねらい, ニッチング表面の特性をOSチェック, 電子回折法等によって評価した.得られた結果を次に示す.1)高電力では, 化学作用は飽和し, イオン衝撃で引き起こされるSi表面のダメジは増加する.すなわち表面構造はアモルファスになりOSF(熱酸化積層欠陥)の原因となるダメジが発生する.2)OSF密度はある入射イオンエネルギーで急増する.この条件は, ほぼ電子回折像がハローを呈する条件に等しい.3)ガス圧に独立なOSF密度とバイアス電圧の関係が得られた.またダメジは, バイアス電圧で加速されるイオンのエネルギーによって定まる.4)前加工で生じたダメジは低エネルギーの反応性スパッタエッチングで除去できる.
- 社団法人精密工学会の論文
- 1981-12-05
著者
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三宅 正二郎
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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三宅 正二郎
日本電信電話(株)
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桑野 博喜
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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三宅 正二郎
日本電信電話(株)電気通信研究所
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桑野 博喜
日本電信電話(株) サーバーソリューション研究所
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桑野 博喜
日本電信電話(株)
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