Siウエハの反応性スパッタエッチング速度とエッチ表面組成
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概要
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Siウエハの最終加工工程に, 従来の湿式加工に代わり, 反応性スパッタエッチングを導入することをねらい, エッチング速度とエッチ表面組成について検討した.得られた結果を次に示す.(1)CF_4,O_2混合ガスによるスパッタエッチング速度はArの4〜50倍であり, またCF_2,O_2混合ガスによる化学的プラズマエッチング速度の10〜20倍である.これはイオン衝撃と化学作用の複合効果によっている.(2)CF_4によるスパッタニッチングではCがSi表面に残留する.CF_4,O_2混合ガスではO_2の比率を増加させることによって表面のC濃度は減少する.ここでCは0との反応によって除去される.(3)反応性スパッタエッチング速度について, (a)イオンエネルギーの評価, (b)プラズマ中の質量分析, (c)試料面温度測定から追求し, エッチング速度のイオンエネルギーとCF_4,O_2流量比依存性等を明らかにした.
- 社団法人精密工学会の論文
- 1982-02-05
著者
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