<報文>ナノエリア解析システムによる Si エピタキシャル層の結晶性評価
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概要
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In order to evaluate the crystallinity of the Si epitaxial layer on a recently developed 400mm diameter wafer, detailed transmisson electron microscopic observations were carried out, using specimens with the following growth conditions; growth temperature at 900℃, the H_2 gas flow rate of 80slm and the SiH_4 gas flow rate of 300sccm. V-shaped micro defects, which basically consisted of stacking faults and micro twins, were observed in the epitaxial layer. The morphology and distribution of the defects depended on the positions on the wafer, i. e. the distance from the wafer edge. Mechanisms of defect formation are briefly discussed.transmission electron microscopySi waferepitaxial growthlattice defectelectron diffraction
- 東北大学の論文
- 2001-03-01
著者
-
進藤 大輔
東北大学素材工学研究所
-
池松 陽一
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
池松 陽一
東北大学素材工学研究所
-
村上 恭和
東北大学素材工学研究所
-
今井 正人
株式会社 スーパーシリコン研究所
-
大橋 嘉公
東北大学素材工学研究所
-
今井 正人
株式会社スーパーシリコン研究所
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