ECR-MBE法によるサファイア基板上へのZnO圧電膜の成長
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概要
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ECR-MBE装置を用いて、サファイアc面基板上にZnO膜をを成長させ、X線回折、反射高エネルギー電子線回折(RHEED)、原子間力顕微鏡(AFM)および透過電子顕微鏡(TEM)により膜の結晶性、エピタキシャル関係、表面モルフォロジー、結晶欠陥などを評価した。このECR-MBE法によりは従来のCVD法やRFスパッタ法に比べかなり低い基板温度で高品質ZnO単結晶膜を成長することができた。基板と膜の界面は反応生成物がなく平坦であった。また、基板と膜の格子不整合により形成された転位は基板との界面から膜の表面まで達しており、その密度は1.9×10^<11>/cm^2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-17
著者
-
進藤 大輔
東北大学素材工学研究所
-
中村 僖良
東北大学大学院工学研究科
-
姜 熙復
東北大院・工
-
Nakamura K
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
林 聖煥
東北大学素材工学研究所
-
Nakamura K
Tokyo Electron Ltd. Tokyo Jpn
-
姜 熙復
東北大学大学院工学研究科
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