Si結晶内のGrownin欠陥成長機構
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概要
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We have developed a quantitative measurement method for the number density, size and morphology of grownin defects in Czochralskigrown silicon (CZ-Si) crystals with a brightfield infraredlaser interferometer (known as Oxygen Precipitate Profiler ; OPP) .Using this method we investigated the effect of crystal cooling condition during crystal growth on the formation of grownin defects by growth holding experiments.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
池松 陽一
新日本製鐵株式会社先端技術研究所
-
藤浪 真紀
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
池松 陽一
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
大橋 渡
新日本製鐵(株)技術開発本部
-
水谷 敏行
新日鉄 先端技研
-
中居 克彦
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
長谷部 政美
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
水谷 敏行
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
岩崎 俊夫
ニッテツ電子
-
池松 陽一
新日鉄先端技研
-
中居 克彦
ワッカー Nsce R & D グループ品質評価チーム
-
中居 克彦
新日本製鐵
-
中居 克彦
新日鉄 先端技研
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