共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-01-31

著者

• 前澤 宏一

  富山大学大学院理工学研究部

• 森 雅之

  富山大学大学院理工学研究部

• 潘 杰

  富山大学大学院理工学研究部

• 早野 一起

  富山大学大学院理工学研究部

関連論文

• AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
• 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
• 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 顕微ラマン分光法によるGaN HEMTの温度分布測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
• 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣAD変換器(量子ナノデバイスと回路応用)
• AS-4-4 高速化に適した周波数変調方式ΔΣADCの検討(AS-4.アナログ信号処理,基礎・境界)
• C-10-3 高速動作に適した新しい共鳴トンネルΔΣA/D変換器の構成(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
• C-10-8 MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用(C-10.電子デバイス,一般講演)
• CT-1-6 共鳴トンネルデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路,AWAD2006)
• InP基板上共鳴トンネル素子を用いた超高速集積回路
• C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-7 サブサンプリング方式共鳴トンネルFMΔΣA/D変換器(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• A-2-23 共鳴トンネルカオス回路を用いた高速信号生成回路(A-2.非線形問題,基礎・境界)
• 負性抵抗デバイスの新時代 : 共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
• C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
• TC-1-1 共鳴トンネルダイオードの原理と特徴
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
• SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
• C-10-11 Si-CMOSによる共鳴トンネル論理ゲートのエミュレーション回路
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• C-10-21 High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性
• 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性
• Fluidic Self-Assembly のための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル発振器のセンサー応用(機能ナノデバイス及び関連技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク