ミラー閉じこめ型ECRプラズマスパッタリングによるSrTiO_3薄膜の低温合成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-12-08
著者
-
三宅 正司
大阪大学
-
三宅 正司
大阪大学接合科学研究所
-
三宅 正司
近畿大学リエゾンセンター
-
三宅 正司
大阪大学大学院工学研究科
-
沼田 乾
神奈川高度技術支援財団高度計測センター
-
馬場 創
大阪大学
-
沼田 乾
KTF高度計測センター
-
馬場 創
科学技術振興事業団
関連論文
- 低インダクタンス内部アンテナを用いた大口径誘導結合RFプラズマ生成
- 放電プラズマ焼結によるB-C系助剤を添加した炭化ケイ素の作製とそれらの機械的特性
- 放電プラズマ焼結におけるアルミナの緻密化,曲げ強度および微細組織に及ぼす焼結圧力および昇温速度の影響
- アルミナの緻密化,機械的性質及び微細構造に対する放電プラズマ焼結の影響
- イオンビーム支援蒸着法によるHfO_2薄膜の合成
- イオンビーム支援蒸着法を用いたCeO_2薄膜合成におけるモルフォロジーに及ぼすイオン照射効果
- 28GHzミリ波加熱法により焼結された窒化ケイ素セラミックスの材料物性解析(GS10 セラミックス・腐食)
- 430 Yb_2O_3+Al_2O_3 を添加した窒化ケイ素セラミックスの高温条件下での硬度について
- 自由空間タイムドメイン法によるアルミナのミリ波誘電率測定
- 214 28GHz ミリ波加熱法により作製された窒化ケイ素セラミックスの高温硬さ測定
- 大出力28GHzミリ波加熱法による窒化珪素の低温焼結
- 28GHzミリ波加熱法による窒化珪素の焼結と Yb_2O_3-Al_2O_3系新助剤の開発
- 大出カミリ波加熱法による高純度アルミナの焼結
- AINのミリ波焼結における最適Yb_2O_3助剤添加量の検討
- 窒化アルミニウムのミリ波焼結における添加助剤の比較
- ミリ波加熱法を用いたAlN焼結体作製における助剤の比較
- 高品質SrTiO_3薄膜の低温合成
- ミラー閉じこめ型ECRプラズマスパッタリングによるSrTiO_3薄膜の低温合成
- ミラー型ECRプラズマスパッタリングによるSrTiO_3薄膜合成
- 225 厚板のレーザフォーミングにおける入熱分布の効果 : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第6報)
- 152 カレイドスコープを用いたフォーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第5報)
- 122 厚板のレーザフオーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第四報)
- 高出力半導体レーザによる厚鋼板のフォーミング
- 419 酸化チタン皮膜形成におけるビーム斜入射効果 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第 7 報)
- エアロゾルデポジッション法によるハイドロキシアパタイト皮膜形成
- 120 ビーム入射角制御によるハイドロキシアパタイトコーティング技術 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第6報)
- 406 ハイドロキシアパタイト皮膜形成のための照射条件に関する実験的検討 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第5報)
- 厚鋼板のレーザ・アーク複合高速度溶接における溶接メカニズムの解明
- 401 酸化チタン皮膜形成のための照射条件に関する実験的検討 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第4報)
- 151 高速度撮影による成膜メカニズムの検討 : 電子ビ-ムクラッディングに関する基礎的研究(第6報)
- 温度分布と曲がり角の関係高出力半導体レーザによる厚鋼板のフォーミング(第2報)
- 335 成膜パラメータと皮膜特性の関係 : 電子ビームクラッディングに関する基礎的研究(第5報)
- 329 ステンレス鋼基板上への酸化チタン皮膜形成 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第三報)
- 高出力半導体レーザによる厚鋼板のフォーミング
- 超微粒子ビームによる機能性セラミックス皮膜形成
- 530 機能性セラミックスの厚膜生成 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第二報)
- 453 半導体レーザによるフオーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第3報)
- 高出力・高エネルギー密度半導体レーザによる薄板の高速度溶接
- 318 薄板の高速度溶接 : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第二報)
- 大電流通電加熱法によるアナターゼの緻密化と微細組織
- 電磁エネルギー加熱による各種アルミナの焼結
- 電磁エネルギー急速加熱法によるアナターゼの固化体の合成
- ヘリコン波励起プラズマスパッタリングによるCN_x薄膜合成
- 厚鋼板のレーザ・アーク複合高速度溶接に関する研究
- 8p-N-9 静電イオンサイクロトロン波の伝播特性
- 4a-D-4 非一様磁場中のプラズマイオンの加速
- 22a-A-14 磁場勾配のあるプラズマのイオンサイクロトン共鳴
- イオン照射によるHfO_2薄膜の構造変化
- ミリ波加熱を用いて結晶化されたSrBi_2Ta_2O_9強誘電体薄膜の特性
- ミリ波加熱を利用した不揮発性メモリー用強誘電体薄膜のアニーリング
- 厚鋼板のレーザ・アーク複合高速度溶接に関する研究(第2報)溶接現象の動的観察
- 206 溶接欠陥に及ぼすアーク条件の影響 : 厚板鋳鋼へのレーザ・アーク複合溶接の適用(第二報)
- 電磁エネルギー加熱法による新材料創製の可能性
- 1a-Q-2 DC電位によるカスプ損失の軽減
- 224 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究
- 6p-R-12 Adiabatic-trapにおけるICR-Plugging
- 7a-J-2 高周波プラギング効果の密度および磁場依存性(II)
- 12p-P-2 高周波プラギングに於けるイオンの加熱
- 12a-P-2 高周波プラギングにおける電子の加熱
- 12a-P-1 高周波プラギング効果の密度および磁場依存性
- 12a-F-15 静電イオンサイクロトロン波の伝搬特性-III
- 1a-Q-1 Ion Cyclotron Resonance Plugging の機構
- 2a-R-2 静電イオンサイクロトロン波の伝搬特性-II
- 16p-F-9 カスププラズマのRF封じ込め効果に対する密度依存性
- 7p-N-11 変形カスプ中のイオン加熱と封じ込め
- 3a-GE-10 カスププラズマにおけるICR[VI]非一様磁場中のRF powerの共鳴吸収
- 3a-GE-9 カスププラズマにおけるICR[V] ライン及びポイントカスプ損失の軽減
- 2p-GE-3 自然励起されたドリフトサイクロトロン波
- 1p-GE-2 磁場中のイオン波伝播特性の数値計算
- 11p-N-4 カスププラズマにおけるICR(III) : プラズマのdecay time
- 9p-P-10 カスプラズマにおけるICR(IV)〓E及び〓Bの加速効果
- シートプラズマ中のイオン波 : プラズマ
- カスププラズマに於けるICR[II] : エネルギー分布の測定 : プラズマ
- カスププラズマに於けるICR[I] : カスプ損失の軽減 : プラズマ
- 酸化物薄膜創成におけるミラー型ECRプラズマに及ぼすRFバイアス効果
- カスププラズマの性質 : プラズマ
- 229 粉末供給法によるクロム炭化物/Ni-Cr混合皮膜の作製とその特性 : 電子ビームクラッデイングに関する基礎的研究(第4報)
- 434 粉末供給法によるNi基自溶合金皮膜の作製とその特性 : 電子ビームクラッディングに関する基礎的検討(第3報)
- 高エネルギー密度半導体レーザシステムによる材料加工
- 311 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討
- 110 50W級半導体レーザシステムのビーム特性改善と加工特性の検討 : 50W級高エネルギー密度半導体レーザの開発(第二報)
- 有磁場アークイオンプレーティング法によるa-C薄膜の形成
- 簡易電子論による硬質材料の構造制御について
- 単一ギャップモデルによる化合物の体積弾性率の評価
- 非一様磁場中のプラズマイオンの加速II : プラズマ物理
- プラズマ源I(無磁場)
- 低インダクタンス内部アンテナ方式ICP源によるポリシリコン薄膜の合成
- ミリ波アニールによる(Ba,Sr)TiO_3高誘電率薄膜の合成
- 局在電子論にもとづく擬2元系T-Al-N硬質物質の設計 : (2)体積弾性率の予測と硬度の関連
- 局在電子論にもとづく擬2元系T-Al-N硬質物質の設計 : (1)B1/B4相変化の予測と実験結果の比較
- ジャイロトロン発振ミリ波による金属の表面処理
- ミリ波帯電磁波を用いた窒化珪素の焼結プロセス
- AD法にて作成したPZT膜のミリ波照射による構造変化
- Fe基合金/酸化物ナノコンポジット軟磁性焼結体の合成
- 超微粒子ビームによる酸化チタン皮膜形成
- 還元雰囲気下におけるAlNのミリ波焼結
- ミリ波加熱法の特徴とセラミックス部材の高品質化
- イオン・プラズマプロセスによる硼素,炭素,窒素系超硬質薄膜の合成
- イオン照射を利用した成膜プロセスの評価法
- 234 ヘリコンプラズマスパッタリングによるCN_x薄膜合成