カスププラズマに於けるICR[II] : エネルギー分布の測定 : プラズマ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
-
三宅 正司
大阪大学
-
佐藤 照幸
名大プラズマ研
-
本沢 忠夫
宇都宮大
-
本沢 忠夫
名大プラズマ研
-
高山 一男
名大プラズマ研
-
高山 一男
東海大開発研
-
久保田 雄輔
名大プラズマ研
-
三宅 正司
名大プラズマ研
-
児玉 琢磨
名大プラズマ研
-
児玉 琢磨
名大p研
関連論文
- 低インダクタンス内部アンテナを用いた大口径誘導結合RFプラズマ生成
- 3.1 磁場による閉じ込め
- 7p-S-10 QPプラズマにおけるイオン・サイクロトロン共鳴の実験VII
- 7p-S-9 QPプラズマにおけるイオン・サイクロトロン共鳴の実験VI
- QPプラズマにおけるイオンサイクロトロン共鳴の実験 : 核融合
- QPプラズマにおけるイオン・サイクロトロン共鳴の実験IV : 核融合
- QPに於けるIoffe fieldの実験 : 核融合
- Q.P. プラズマに於ける振動 : 核融合
- QPプラズマのマイクロ波診断 : 核融合
- QP装置におけるPIG放電の制御 : 核融合
- QP装置に於ける磁場の制御 : 核融合
- QPにおけるIoffe磁場 : 核融合
- QPプラズマにおけるイオンサイクロトロン共鳴の実験II : Diamagnetismによるイオン温度の測定 : 核融合
- Q.PにおけるP.I.Gプラズマ源II : 核融合
- 10p-C-11 Q.P.プラズマのProbe測定
- 10a-C-5 イオン・サイクロトロン加熱実験 I
- 9a-K-8 ミラー磁場における高周波閉じ込め
- ミラー閉じこめ型ECRプラズマスパッタリングによるSrTiO_3薄膜の低温合成
- 225 厚板のレーザフォーミングにおける入熱分布の効果 : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第6報)
- 152 カレイドスコープを用いたフォーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第5報)
- 122 厚板のレーザフオーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第四報)
- 温度分布と曲がり角の関係高出力半導体レーザによる厚鋼板のフォーミング(第2報)
- 高出力半導体レーザによる厚鋼板のフォーミング
- 453 半導体レーザによるフオーミング : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第3報)
- 高出力・高エネルギー密度半導体レーザによる薄板の高速度溶接
- 318 薄板の高速度溶接 : 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討(第二報)
- ヘリコン波励起プラズマスパッタリングによるCN_x薄膜合成
- 3a-H-9 H_2分圧測定法によるRFC-XX-M端損失測定
- 2p-RC-5 RFC-XX-MにおけるMHD安定性
- 2p-RC-3 RFC-XX-Mにおける高周波プラギング
- 14a-DH-9 RFC-XX-Mにおけるプラズマ電位測定
- 30a-B-5 RFC-XX-Mの実験計画
- 8p-N-9 静電イオンサイクロトロン波の伝播特性
- ドリフト波の伝播 : プラズマ
- TPD1プラズマにおける低周波振動(II) : プラズマ物理
- 4a-D-4 非一様磁場中のプラズマイオンの加速
- 22a-A-14 磁場勾配のあるプラズマのイオンサイクロトン共鳴
- 30a-B-3 RFC-XXでのプラズマ内部生成実験 II
- 2a-M-7 ガイドフィールドを持った重イオンプローブの設計
- 2a-M-6 RFC-XXにおけるICRHプラズマの高周波封じ込め III
- 2a-M-5 RFC-XXにおけるガスパフによるプラズマ内部生成
- 2a-M-4 RFC-XXの中央部におけるミラープラズマ
- 2a-M-3 高周波回転電磁場によるポイントカスププラギング
- 2a-M-2 ラインカスププラグへの高周波入力の測定
- 3a-NY-11 RFC型核融合炉 II
- 26p-C-3 高周波リミターによる Fluctuation Induced Transportの抑制
- 26p-C-2 ヘリコン波プラズマ生成における密度ジャンプ現象の解明
- 26p-C-1 高周波リングプラズマの発生機構
- 26a-C-7 方位角モードの異なるヘリコン波プラズマの特性
- 27p-Z-4 高周波リミター近傍プラズマ揺動計測
- 27p-Z-3 高周波放電によるリングプラズマの光学測定
- 28a-G-1 高周波放電によるリングプラズマの発生
- TPD2号機のシート・プラズマ : プラズマ物理
- 1p-D-6 TP-Dプラズマの低周波振動
- 14p-G-10 impurity-free RF-containmentの条件
- 10p-G-12 RF封じ込めの機構
- 1a-Q-2 DC電位によるカスプ損失の軽減
- 30p-D-8 Type IIIコイルによるFast Waveの励起
- 30p-D-4 RFC-XXにおける低周波振動の観測
- 1p-Q-18 RFC-XXにおけるfast wave実験
- 1p-Q-17 RFC-XX回転電磁界による高周波加熱
- 1p-Q-16 RFC-XXにおける閉じ込め実験
- 27a-Z-4 ICRHプラズマの高周波封じこめ
- 5p-G-3 RFC-XX における高周波閉じ込め
- 4a-CN-3 RFC-XX 装置の基礎量測定
- 9a-K-9 ミラー磁場における高周波加熱
- 6a-S-4 ミラー磁場の高周波閉じ込め
- 6a-S-3 ミラー磁場による高周波加熱
- 6p-R-12 Adiabatic-trapにおけるICR-Plugging
- 14p-G-12 静電波によるイオンサイクロトロン加熱
- 7a-J-2 高周波プラギング効果の密度および磁場依存性(II)
- 12p-P-2 高周波プラギングに於けるイオンの加熱
- 12a-P-2 高周波プラギングにおける電子の加熱
- 12a-P-1 高周波プラギング効果の密度および磁場依存性
- 12a-F-15 静電イオンサイクロトロン波の伝搬特性-III
- 1a-Q-1 Ion Cyclotron Resonance Plugging の機構
- 2a-R-2 静電イオンサイクロトロン波の伝搬特性-II
- 16p-F-9 カスププラズマのRF封じ込め効果に対する密度依存性
- 7p-N-11 変形カスプ中のイオン加熱と封じ込め
- 3a-GE-10 カスププラズマにおけるICR[VI]非一様磁場中のRF powerの共鳴吸収
- 3a-GE-9 カスププラズマにおけるICR[V] ライン及びポイントカスプ損失の軽減
- 2p-GE-3 自然励起されたドリフトサイクロトロン波
- 1p-GE-2 磁場中のイオン波伝播特性の数値計算
- 11p-N-4 カスププラズマにおけるICR(III) : プラズマのdecay time
- 9p-P-10 カスプラズマにおけるICR(IV)〓E及び〓Bの加速効果
- シートプラズマ中のイオン波 : プラズマ
- カスププラズマに於けるICR[II] : エネルギー分布の測定 : プラズマ
- カスププラズマに於けるICR[I] : カスプ損失の軽減 : プラズマ
- 3a-GE-12 不安定性によるイオンの加熱
- 6a-H-6 高周波封じ込めの理論と実験 (I.C.R.P.)
- 3a-CC-13 RFC-XX ラインカスプ用高周波饋電装量
- 7p-E-5 高周波プラギングにおけるプラズマの不安定性
- 7p-E-4 高周波閉じ込めと高周波加熱
- カスププラズマの性質 : プラズマ
- 229 粉末供給法によるクロム炭化物/Ni-Cr混合皮膜の作製とその特性 : 電子ビームクラッデイングに関する基礎的研究(第4報)
- 高エネルギー密度半導体レーザシステムによる材料加工
- 311 2kW級高出力半導体レーザシステムによる材料加工特性の検討
- 非一様磁場中のプラズマイオンの加速II : プラズマ物理
- 低インダクタンス内部アンテナ方式ICP源によるポリシリコン薄膜の合成
- イオン照射を利用した成膜プロセスの評価法