半導体素子パッケージと配線のインダクタンスとディジタル回路のEMIについて
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概要
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LSIなどの半導体素子のパッケージと配線のインダクタンスは、高速ディジタル回路の動作およびEMI特性に影響する。これに関して、電磁気学・電気回路学的な検討を踏まえて考察した。パッケージのインダクタンスLは同時スイッチング雑音の原因となるとともに、回路動作の遅延を引き起こす。従って、Lを小さくすることが回路の安定動作のために重要である。またLの低下は同時にディジタル回路の共振のQを低下させるので、EMIスペクトルのピークレベルを下げる効果がある。インダクタンスの低減のためには、単に自己インダクタンスLを小さくするのみでなく、ピン間の相互インダクタンスMを大きくすることにより実効インダクタンスL_<err>=L-Mを小さくすべきであることをモデルにより説明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-20
著者
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