CMOS論理ICの電気的特性の違いによるプリント回路からの放射電磁雑音量の変動
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概要
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同一型番の論理ICで駆動されるプリントパターンから放射される電磁雑音量と、ICの電気的特性の関係を評価した。4社11ロットの高速CMOS(74HC00:SOP)について、ゲート出力FETの導通抵抗と、出力電圧のスイッチング速度を測定し、また4層基板上の長さ100mmの信号線を駆動したとき基板近傍においた微小ループアンテナに誘起される雑音電圧スペクトルを測定した。その結果、同一ロットICの場合、スペクトルのピーク値の差は0.7dB以下、同一メーカー内では1.8〜4.5dB、全体では5.6dBの差がみられた。この差は、ゲート出力抵抗により決まるスイッチッグ速度の違いが原因である。ゲート出力の立下り時間に対するスペクトルのピーク値のばらつきはメーカー・ロットに関わらず±1dB程度におさまった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-20
著者
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