Characteristics of InAlGaAs/InAlAs Superlattice Avalanche Photodiodes for Ultra-low Optical Power Detection in the Near Infrared
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-10-01
著者
-
SAITO Yasunori
Department of Drug Delivery Research, Graduate School of Pharmaceutical Sciences, Kyoto University
-
Tanaka Masahiro
Department Of Electronics And Computer Engineering Gifu University
-
Tanaka Mitsuyoshi
R & D Office 5 Hioki E. E. Corporation
-
Maruyama Toshiki
Advanced Science Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Maruyama Tomoyuki
R & D Office 5 Hioki E. E. Corporation
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
KOBAYASHI Fumitoshi
Department of Information Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University
-
KAWAHARA Takuya
Department of Information Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University
-
NOMURA Akio
Department of Information Engineering, Faculty of Engineering, Shinshu University
-
Nomura A
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
Nomura Akio
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tohoku
-
Kawahara Takuya
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
Maruyama T
Advanced Science Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Kobayashi Fumitoshi
Faculty Of Engineering Shinshu University
-
MARUYAMA Tomoyuki
R & D Office 5, Hioki E. E. Corporation
-
YAMAKI Hideaki
Department of Information Engineering, Shinshu University
-
TANAKA Mitsuyoshi
R & D Office 5, Hioki E. E. Corporation
-
Yamaki Hideaki
Department Of Information Engineering Shinshu University
-
Saito Yasunori
Department Of Drug Delivery Research Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Kyoto University
-
MARUYAMA Tomoyuki
College of Bioresource Sciences, Nihon University:Advanced Science Research Center, Japan Atomic Energy Research Institute
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