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Nec基礎研究所 | 論文
- シリコン表面の原子層単位の酸化反応
- 23pZN-8 Siの層状酸化
- シリコン表面のLayer-by-Layer酸化
- 4(A-4) CH/π相互作用に着目したプロテインキナーゼCアイソザイム選択的な薬剤の分子設計(口頭発表の部)
- 113(P-62) 発がんプロモーター・インドラクタムVのコンホメーション固定によるプロテインキナーゼCアイソザイム選択的リガンドの分子設計(ポスター発表の部)
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
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- SBT薄膜の強誘電性の温度依存性
- SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ
- STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ
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- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ
- 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ
- ギガビットDRAM用のECRプラズマCVD-(Ba, Sr)TiO_3容量膜
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価
- 26a-Q-4 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性
- 29p-ZC-12 T1Sr_2CaCu_2O_のNMR,NQR
- 28p-ZC-4 酸化物高温超伝導体の圧力効果(NQR)II