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Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所 | 論文
- GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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- MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
- C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価 (シリコン材料・デバイス)
- advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
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- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 2005 SISPAD会議報告
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔I〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(1) : CMOSデバイスシミュレーションの高精度化
- 原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用 : 微細MOSFETの真性ばらつき解析
- Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション