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NECマイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
- 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
- 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- 20Gb/s光送信器用SiGe-HBTディジタルIC