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NECシリコンシステム研究所 | 論文
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 組込み向けマルチメディア処理プロセッサに適したスーパースカラ演算ユニットのアーキテクチャ
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- トランジスタレベル等価性検証ツールEVERY7SPの開発
- トランジスタレベル等価性検証ツールEVERY7SPの開発
- トランジスタレベル等価性検証ツールEVERY7SPの開発
- 2.7ns0.25μm CMOS 54x54b乗算器
- 2.7ns0.25μmCMOS54x54b乗算器 : 設計・検証技術
- 2.7ns0.25μm CMOS 54x54b乗算器 : 設計・検証技術
- Si 基板上の Al 膜配向性がショットキー特性に及ぼす影響
- C-12-38 マルチメディアRISCプロセッサに搭載したRambus DRAMコントローラの命令プリフェッチ機能と性能評価
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証