スポンサーリンク
NECシステムデバイス研究所 | 論文
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 1.58μm帯を用いた640Gb/s DSF 400km WDM 伝送実験
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- LSIにおけるシグナルインテグリティ問題と対策 : LSI性能の継続的な進化のために
- クロックジッタや電源ノイズの発生原因を解明できるオンチップジッタスペクトラムアナライザ(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- 第17回VLSI回路シンポジウム報告
- C-12-41 容量値のバイアス依存がないゲート容量素子 (BIGCAP) の提案と差動構成 PLL のループフィルタへの応用
- 容量値のバイアス依存がないゲート容量素子の提案と差動構成PLLのループフィルタへの適用
- C-12-12 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロ(II)
- シグナルインテグリティ評価用100-Gsa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- C-12-6 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術(パネルディスカッション)
- サブ100nm時代を担う高速・低電力SoC回路技術 : デザイントレードオフとの戦い
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)