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NECエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(2) : DARM部について
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(1)
- Cyclic方式D/Aコンバータの特徴を生かしたリニアリティ特性改善手法(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- Cyclic方式D/Aコンバータの特徴を生かしたリニアリティ特性改善手法(ADCとDAC,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-12-4 高密度貫通電極スペーサーを用いたワイドバスCoC(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- ポストI_テスト手法としてのI_スペクトル法の応用の検討
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- アナデジ混載システムにおけるチップ,パッケージ,ボードの微小ノイズ設計/検証技術開発(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 動的再構成可能プロセッサを用いたIPsec向け暗号処理アクセラレータの設計と実装(コンピュータシステム)
- 動的再構成可能プロセッサを用いた組み込み向け複数暗号処理エンジンの実装(セキュリティ・暗号1, 組込技術とネットワークに関するワークショップ)
- 動的リコンフィギャラブルプロセッサを用いたIPsecアクセラレータの設計と実装(アプリケーションI)(リコンフィギャラブルシステムにおける設計技術及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- リコンフィギャラブルプロセッサ上でのブロック暗号RC6の実装(FPGAとその応用及び一般)
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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