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NECエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 超広帯域無線システムDAAにおける信号検出性能評価(その1) : ベースバンド評価システムの開発(マイクロ波帯UWB無線システム高度化に関する調査検討報告)
- 超広帯域無線システム用DAAに関する信号検出性能評価(その2) : モバイルWiMAX信号及び3GPP LTE信号に対する評価実験(マイクロ波帯UWB無線システム高度化に関する調査検討報告)
- ハイバンドUWB装置からディジタルFPUへの影響評価(その1) : 同軸ケーブル接続試験(マイクロ波帯UWB無線システム高度化に関する調査検討報告)
- 低電力DSPを用いたH.264ビデオエンコーダ(画像信号処理及び一般)
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ハイバンドUWB装置からディジタルFPUへの影響評価(その2) : 暗室内での実機を用いた影響評価(マイクロ波帯UWB無線システム高度化に関する調査検討報告)
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- C-12-34 動的再構成ロジックLSIの開発(2)
- C-12-33 動的再構成ロジックLSIの開発(1)
- 圧縮/伸張器混載DRAM
- リコンフィギャラブルプロセッサDRP上でのエッジ近傍合成機能付きαブレンダの実装(FPGAとその応用及び一般)
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 4. 動的再構成プロセッサ(DRP)(実例, 新世代マイクロプロセッサアーキテクチャ(後編))
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(3)