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Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo | 論文

• 2.ドライエッチングのモデルとその実験検証(ドライエッチングの科学と技術の新局面)
• Novel Alternating Dimer Chain System (CH_3)_2NH_2CuCl_3 Studied by X-ray Structural Analyses and Magnetization Process(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 室温結晶成長を用いたフレキシブルエレクトロニクスの開発
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 01aB10 MgO基板上への半極性AlN薄膜の成長と評価(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB07 SiC(0001)ステップ基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長初期過程の観察(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB06 低温成長バッファー層を用いたZnO基板上無極性GaN薄膜の成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 17pB06 (Mn,Zn)Fe_2O_4基板上におけるIII族窒化物薄膜の室温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB07 格子整合ZrB_2基板上へのGaN低温成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB13 室温成長バッファー層を用いたZnO基板上GaN薄膜の高品質化(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• III族窒化物室温成長バッファー層の評価(Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)
• PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 酸化亜鉛単結晶の光電気化学エッチング, 結晶面依存性と水の濡れ性制御
• 4.高誘電率(High-k)材料のドライエッチング(ドライエッチングの科学と技術の新局面)
• Cloning and Nucleotide Sequence of the Gene Encoding Dimethyl Sulfoxide Reductase from Rhodobacter sphaeroides f. sp. denitrificans
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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