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Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo | 論文
- ZnO基板上への非極性面III族窒化物半導体の成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Highly Uniform Si-Doped GaAs Epitaxial Layers Grown by MBE Using a TEG, Arsenic, and Silicon System
- Highly Uniform, High-Purity GaAs Epitaxial Layer Grown by MBE Using Triethylgallium and Arsenic : Semiconductors and Semiconductor Devices
- Observations of Structure Phase and Composition on Unidirectional Solidified Y-Ba-Cu-O Samples
- A Simple Method of Fabricating Preferentially Oriented YBa_2Cu_3O_ Film on Silver Substrates
- X-Ray Standing Wave Analysis of GaAs/Si Interface
- X-Ray Standing Wave Analysis of Al/GaAs/Si(111)
- Case of hypoparathyroidism, deafness and renal dysplasia (HDR) syndrome associated with nephrocalcinosis and distal renal tubular acidosis
- 鏡視下手術における酸化チタンコーティング防曇内視鏡の有用性
- GaAs / AlGaAs Light Emitters Fabricated on Undercut GaAs on Si
- Thermal Stress and Dislocation Density in Undercut GaAs on Si
- Photoluminescence Dark Spot Dynamics in GaAs Grown on Si
- Stable Operation of AlGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes Fabricated on Si Substrate
- Zinc Diffusion in Al_Ga_As Grown on Si Substrate
- Carbon Monoxide from Heme Oxygenase-1 Scavenges Reactive Oxygen Species Generated by Oxidized LDL in Macrophages through P38 MAP Kinase Pathway
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Structures for Thermal Stress Reduction in GaAs Layers Grown on Si Substrate
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