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金沢大学自然科学研究科 | 論文
- 携帯機器応用低消費電力MPEG2 MP@HL動き検出プロセッサの開発
- 時間弱模倣関係と最悪応答時間に基づくリアルタイムソフトウェアの詳細化設計手法(2003年並列/分散/協調処理に関する「松江」サマーワークショップ(SWoPP松江2003))(DC-1高信頼化手法)
- かぐや衛星搭載波形補そく器における高効率波形データ取得法(計測・探査)
- 割断における温度計測 (特集 レーザダイシング)
- 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 混合ターゲットを用いた歪緩和SiGeの作製
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- Si、GeのIBS成長におけるスパッタガスの検討(III族窒化物研究の最前線)
- イオンビームスパッタ法によりSiGe成長における水素導入効果
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- 反応性スパッタ法を用いたゲート絶縁膜用ZrO_2系薄膜の金属モード成長
- Pb(Zr, Ti)O_3薄膜成長における気相及びターゲットからの酸素導入の検討
- 金属/酸化物モードによるゲート絶縁膜用YSZ超薄膜の形成
- IBS法による選択BドープSi/Ge周期構造の作製とその電気的特性
- IBS法によるSi基板上Geの成長過程とSi/Ge超格子構造
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