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金沢大学大学院 自然科学研究科 | 論文
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
- ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
- コンクリート曲弦トラス橋の構造特性と道路橋への適用
- コンクリート張弦桁橋の力学特性と車両走行時,破壊時の挙動
- 76 ウェアラブル姿勢計測・解析システムによる片麻痺歩行の評価 : 裸足及び装具歩行における計測・解析結果の比較検討(理学療法基礎系,一般演題(ポスター発表演題),第43回日本理学療法学術大会)
- ポリイミドをターゲットとして作製した高周波スパッタ高分子薄膜 : 成膜時の電力と圧力が分子構造と基板との密着性に与える影響
- ポリイミドをターゲットとして作製した高周波スパッタ高分子薄膜 : 成膜時の電力と圧力が分子構造と基板との密着性に与える影響(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
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