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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 | 論文
- 60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC電圧制御発振器
- 60GHz安定化MMIC信号源
- ミリ波帯MMIC誘電体安定化電圧制御発振器
- ミリ波帯AlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET MMIC発振器
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- ミリ波帯ヘテロ接合FETMMIC電圧制御発振器
- V帯MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz帯MMIC2段高出力増幅器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- AIGaAs/InGaAsヘテロ接合FETを用いた60GHz帯低雑音増幅器
- V帯2段低雑音増幅器MMIC
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET