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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 | 論文
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
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- 高歩留まり短ゲートプロセスによるK帯高出力MMIC(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-38 0.7W 低歪 38GHz 帯電力増幅器 MMIC
- AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
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- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
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- 臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製
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- 成長及び成長中断時におけるInAs歪層の格子緩和過程の観察