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財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所 | 論文
- 60GHz 帯受信モジュール
- 60GRz 帯 FM/FSK 送信モジュール
- 22 GHz帯5W HJFET増幅器
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 高出力密度高耐圧ヘテロ接合FET
- 非線形入力容量を用いた低歪Ku帯高出力HJFET増幅器
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
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- C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
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- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- マイクロストリップ線路に結合した60GHz帯誘電体共振器
- 60GHz 帯高出力MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz 帯 MMIC 誘電体装荷電圧制御発振器