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株式会社東芝研究開発センターULSI研究所 | 論文
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析(固体撮像とその関連技術)
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- C-11-2 TIS を用いたバッファ回路の設計法とその DRAM への適用検討
- 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- 1-3画像情報記録(映像情報メディア年報)
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- スタックCCDの光電変換膜における欠陥密度減少に伴う画素電極端での電界集中問題とその改善
- 単層メタル電極CCDイメージセンサの検討(固体撮像とその関連技術)
- 2/3インチ200万画素スタックCCDカラーカメラの高ダイナミックレンジ化(固体撮像とその関連技術)
- OpenGLベースRadiosity法CG生成の並列化検討
- イオン注入シミュレータ並列化による並列プロセッサアーキテクチャの定量的評価
- 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの設計法
- 5.半導体メモリー(映像情報メディア記録システム)
- TISを用いたギガビットDRAMの設計法
- 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法
- 2. 各分野における技術の変遷 : 2-1 半導体メモリ技術の変遷と将来の展望(あの技術は今… : 技術の変遷と21世紀への展望)
- 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法
- マルチ蓄積時間受光素子(固体撮像とその関連技術)