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株式会社東芝セミコンダクター社 | 論文
- SDDアーキテクチャと未来 (集積回路)
- Cell/B.E.プロセッサによるステレオマッチングソフトウェアの高速化(最適化・高速化)
- Cell Broadband Engineを用いたマーカレス モーションキャプチャ
- 環境水系の感染症 : オーバービュー
- 福岡市における Human parechovirus 4の分離事例
- 高速アナログ/ディジタル回路用高精度疑似飽和BJTモデル
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術
- 90nm CMOSによるFMCW方式レーダー送受信ICの開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン用シンセサイザ
- 1.9GHz 帯 シンセサイザモジュール
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 7.8MB/sを実現する64Gb 4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー(メモリ技術)
- 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- 8Mb Chain Ferroelectric Memory〔和文〕 (特集 メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計