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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- [招待論文] CGに適した機能を有する 286MHz、64ビット浮動小数点乗算器
- [招待論文] 高速浮動小数点加算器のための桁落ちシフト量予測回路の提案
- [招待論文] 新しいキャリーセレクト方式(MCS)を使った64ビットキャリールックアヘッドCMOS加算器
- 電圧・温度補償されたAPD-ECL回路及びECLとCMOSの消費電力比較方法の提案
- マルチコーデック対応可変長符号処理ハードウェアの性能評価(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- 回路定数最適化システムを用いた11bit 160MS/s 1.35V 10mW D/Aコンバータ
- 階層化ワードドライバと位相シフト昇圧回路を用いた512kB 60MHzエンベデッドフラッシュメモリ
- 32ビットRISCマイクロコントローラに内蔵する3.3V90MHzフラッシュモジュール
- 広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 電子線トモグラフィーを用いたNiシリサイド(NiSi_x)の3D形状評価技術
- EBSP/OIM法を用いたULSI配線の結晶解析技術
- SC-12-3 EBSP による先端金属配線の結晶性評価技術
- TEMによる評価・解析技術
- 0.1μm世代をにらんだ半導体デバイスの評価技術 (特集「半導体」)
- LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
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