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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- 短TAT化を実現するTEM試料作製技術
- スモールワールドネットワーク化配線構造の詳細遅延評価(リコンフィギャラブルデバイス,リコンフィギャラブルシステム,一般)
- PbフリーBGAはんだ接続部の衝撃耐性評価手法の確立 : (第1報)衝撃破断モードの基板ひずみ依存性の検討
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 分周数分解能0.5を実現する並列型デュアルモジュラスプリスケーラを搭載したPLLシンセサイザ
- PD-SOIのクロック・ゲーティング機構に対応したリーク電力削減手法(低消費電力化技術)(システムLSIの設計技術と設計自動化)
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
- 19GHz Si低歪みダウンミキサ回路
- 3.0Gb/s,272mW,8:1マルチプレクサ/4.1Gb/s,388mW,1:8デマルチプレクサ
- 電圧補償された低電圧動作バイポーラシリーズゲート回路
- 汎用メモリと専用回路の併用による高速検索ハードウェアの実現法(ネットワークシステム関連技術,一般,高度プロトコル・ネットワーキング技術(IP及び高位レイヤルーチング・フィルタリング,マルチキャスト,品質・経路制御),IPNWの利用技術(P2P,P4P,オーバレイ,SIP,NGN),ネットワークシステム関連技術(システム構成法,インタフェース,アーキテクチャ,ハードウェア・ソフトウェア・ミドルウェア),一般)
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- 組み込みプロセッサコアSH-X2の開発(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- マルチマトリックスコア・アーキテクチャによるリアルタイム画像処理SoC(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- マトリクス構造超並列プロセッサMX-1のプログラム開発手法(超並列SIMDプロセッサ,先端的コンピュータシステム技術及び一般)
- マトリクス構造超並列プロセッサの概要と画像処理への適用検討(スマートパーソナルシステム,一般)
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