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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- マイクロコントローラ搭載512KB MONOS型フラッシュメモリモジュール(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 140mm^2 0.4μm 64Mb AND型フラッシュメモリ
- ファイル用途AND型フラッシュメモリのメモリ動作方式の検討
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- C-2-2 定入力インピーダンス0.13μm CMOS経路切替形可変利得低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ボディ制御技術を採用した1V 46ns 16Mbit SOI-DRAMの設計技術
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- PHS用中間周波数処理LSI ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- オンチップインダクタを用いた低歪みダウンミキサ回路