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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- 混載DRAM技術を用いてソフトエラー耐性を高めた新規TCAMアーキテクチャ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 携帯電話向けアプリケーションプロセッサに最適なスタンバイ電流性能25μA/MbitのオンチップSRAM(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高信頼性を実現した銅溶断型電気ヒューズ技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- MUGIハードウェアのシステム適用検討
- MUGIハードウェアのシステム適用検討
- 電解Ni/Auめっきを用いたBGA鉛フリーはんだ接合部の衝撃信頼性におよぼすNiめっき条件の影響
- 45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- CD制御に基づいたCu/有機 Low-k 配線インテグレーション技術
- 10-bit A/Dコンバータを内蔵したアナ/デシ混在LSIのアナログIDDQテスト方法
- 無電解めっきを用いたBGAはんだ接合部の衝撃信頼性の検討
- セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
- 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 複数メモリコア共有型メモリリペア解析回路の開発(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- eDRAM 対応 包括的・リアルタイムリペア解析回路(CRESTA)の開発
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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