スポンサーリンク
東京農工大学大学院・工学系 | 論文
- 25aC03 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 26aC07 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 第一原理計算による常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(111)A面の表面構造相転移(結晶成長理論I)
- 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 常圧H_2雰囲気下におけるGaAs(001)面からのAs脱離過程と(2×4)再構成面の形成機構 : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション : 結晶成長理論シンポジウム
- 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
- 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
- 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
- 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
- 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(III) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(II) : エピタキシー
- III-V族混晶半導体MOVPE成長の熱力学解析(I) : エピタキシー
- 日本結晶成長学会第10代会長挨拶