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東京農工大学大学院・工学系 | 論文
- エピタキシャル成長とバッファー層
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響
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- InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- InGaN/GaNおよびInGaN/InN気相成長における気相-固相関係 : 結晶成長理論シンポジウム
- シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析
- GaNの分解速度の水素分圧依存性 : エピタキシャル成長I
- 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5)参加報告
- GaNホモエピタキシャル成長における成長初期過程の理論検討(窒化物半導体結晶)
- In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
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