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東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻 | 論文
- Three-Dimensional Nanofabrication Utilizing Selective Etching of Silicon Induced by Focused Ion Beam Irradiation
- Deep Structure Fabrication of Silicon Utilizing High-Energy Ion Irradiation Followed by Wet Chemical Etching(M^4 processes and micro-manufacturing for science)
- Nano-order Rapid Patterning of Quartz Surface Using Focused Ion Beam(M^4 processes and micro-manufacturing for science)
- Measurement of Adhesive Force Between Mold and Photocurable Resin in Imprint Technology
- Improvement of Imprinted Pattern Uniformity Using Sapphire Mold
- Uniformity in Patterns Imprinted Using Photo-Curable Liquid Polymer
- C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-3-128 擬似ランダム位相を付与したCGH作製法の検討(C-3. 光エレクトロニクス(光記録・計測), エレクトロニクス1)
- C-10-13 モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1μmゲートInP-HEMTの解析(2)(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 (電子デバイス)
- 目的関数の微分の分散を利用した平均場近似法
- 組合せ最適化問題に対する臨界温度を考慮した適応平均場近似アルゴリズム
- ハイブリッド遺伝的アルゴリズムの配置問題への適用
- 最大クリーク問題の新しい解法 : 臨界温度を考慮した平均場近似アルゴリズム
- 電子・集束イオンビーム援用化学加工によるダイヤモンドの微細加工:電子ビームとイオンビームにおける加工特性の違い
- ダイヤモンドのイオンビーム・電子ビーム加工
- スピンオングラスをマスクとしたダイヤモンドの微細加工
- 電子・集束イオンビーム援用化学加工によるダイヤモンドの微細加工
- レーザー生成プラズマ支援アブレーション(LIPAA)によるサファイアの加工
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)