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東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻 | 論文
- 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
- 20aPS-33 Si(100)8×5-Ga 構造形成過程の STM 観察
- C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-1 量子補正モンテカルロ法を用いたナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 ナノスケールInP-HEMTの量子補正モンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 畳み込み符号化プリコーデッドOFDMの繰り返し復調方式
- 遺伝的アルゴリズムと集団の多様性
- ブロック符号化プリコーデッドOFDMの繰り返し復調に関する一検討
- 表面活性化接合によるナノインプリントリソグラフィー
- Optimization of Processing Condition for Deposition of DLC Using FIB-CVD Method(Advanced Manufacturing Technology (II))
- Optimization of Processing Condition for Deposition of DLC using FIB-CVD Method(M^4 processes and micro-manufacturing for science)
- Influence of Heat Treatment on Mechanical Properties of DLC Deposited by FIB-CVD(Recent Advances in Materials and Processing (I))
- 圧力印加による新半導体リソグラフィー技術
- B212 ナノインプリントにおけるUV硬化樹脂の温度依存性に関する研究(固液相変化を伴う伝熱現象IV)
- ナノインプリント技術の現状
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